일반기술

레이저 가열냉각에 의한 박막 결정 성장

액티브 매트릭스 액정 디스플레이(active matrix liquid crystal displays)와 전계 방출 디스플레이(FED, field emission displays) 유기 발광 다이오드 디스플레이 같은 플랫 패널 디스플레이는 광학 센서와 함께 투과성 기판 위에서 행해지는 높은 수준의 박막 트랜지스터(TFT) 제조법이 필요하다. 다중 실리콘 TFT(thin film transistor)성능의 균일함과 질을 개선하기 위해서는 좋은 질의 다중 결정 실리콘 필름이 필요한데 이때 조심스럽게 그레인(grain) 사이즈와 위치가 조절되어야 한다. 이 기술을 통해 결정 구조를 결정하는 냉각과 응결과정을 제어하기 위해 레이저 조사법을 사용하여 방향과 지역을 조절할 수 있는 커다란 다중 실리콘 그레인의 성장과 같이 TFT를 생산하기 위한 방법과 장치를 개발할 수 있다.결과물인 TFT의 전기적인 특성이 개선된다.비정질 실리콘 위에 마스크구조의 제작이 필요 없다.결정 성자의 길이와 방향성 모두 다 제어가 가능하다.