일반기술

전계 강화 포토리지스트 후노광 프로세싱

이 기술은 저항 민감도를 강화하고 외부의 전장 변화에 의해 photoacid 드리프트/분산을 제한하는데 기초한 해상도를 높이는 방법론이다. 후 노광(exposure) 굽기(post exposure bake)과정 동안 리지스트 필름에 전장을 적용하면 수직 방향의 photoacid 드리프트가 강화되고 bake 시간이 감소하며 이에 따라서 측면의 산 확산을 제한할 수 있다. 이 방법으로 30%정도의 post-exposure bake 시간을 줄일 수 있고 2차원 코너의 예리함을 개선할 수 있다. 그리고 리지스트 측벽의 수직성(verticality)도 증가시킨다. 전계강화 post exposure bake 는 또한 초과 노광에 대해 내구력을 개선시키고 더 좋은 Critical Dimension(*CD. Mask의 형상을 Wafer에 옮기는 과정에서 Wafer에 재현된 Pattern의 최소 선 폭을 말하는 것으로 정해진 CD값을 만족시켜야 원하는 Device를 구성할 수 있다.)의 조절을 가능케 한다.30%정도의 후 노광 bake 시간을 줄인다.2차원 코너의 예리함을 개선하고 리지스트 측벽의 수직성을 증가시킨다.초과노광의 내구력을 개선한다.더 나은 critcal dimension의 조절이 가능하게 한다.