일반기술

전기 전도 금속 산화물 표면을 가지는 전극의 저온 형성법

이 기술은 cathodic arc 정착법 또는 deposition 체임버 안에 있는 산소의 압력을 조절하거나 금속 플럭스의 밀도를 조절하는방법 또는 이러한 조절의 조합을 통한 방법으로 기판 위에 금속 아산화물(suboxides)을 형성시키는 저온 공정이다. 이 방법들을 사용하면 산화물과 금속의 비율을 정착된 금속 아산화물 코팅 과정에서 조절할 수 있다. 금속 플럭스의 밀도는 차례대로 방전 아크 전류를 제어하고 그 다음 아크의 펄스 길이(사이클의 유지시간)를 조정하여 아크의 진동수를 조절하거나 또는 이러한 파라미터들을 조합하여 조정될 수 있다. 이 저온 공정의 athodic arc 정착법과 deposition 파라메타의 제어에 의해 니켈 산화물 전극 표면 위에 티타늄의 전기 전도 아산화물을 형성할 수 있다. 이 공정으로 만들어진 티타늄 아산화물로 코팅된 니켈 산화 전극은 동일 물질을 양극으로 이용하여 만들어진 전지가 충전되는 동안 산소의 parastic evolution을 감소시키고 완전히 충전된 전지의 전극에서 산소방출을 억제 할 수 있는 고산소과전압(overpotential)을 나타낸다.산소의 parastic evolution을 감소시킨다.티타늄 아산화물로 코팅된 니켈 산화 전극은 동일 물질을 양극으로 이용하여 만들어진 전지가 충전되는 동안 산소의 parastic evolution을 감소시키고 완전히 충전된 전지의 전극에서 산소방출을 억제 할 수 있는 고산소과전압(overpotential)을 나타낸다.