일반기술
박막 써미스터의 제조방법
본 발명은 망간과 니켈의 몰 비를 2:1 내지 5:1로 하여 형성한 MnNi또는 망간, 코발트와 니켈의 몰 비를 54:43:3 내지 60:3:10로 하여 형성한 MnCoNi을 타켓으로한 후, 아르곤과 산소의 혼합 가스 분위기 중 산고를 일정한 비율로 유지하면서 스퍼터링함으로써 박막 써미스터를 제조한다.이때 아르곤과 산소의 혼합 가스 분위기 중 산소의 함량비를 0.5% 내지 0.9% 범위로 내로 유지하면서 스퍼터링을 하면 비저항 특성이 좋은 박막 써미스터를 제조할 수 있다. 또한 본 발명에 따르면 상온에서 스퍼터링을 행함으로써 박막써미스터를 제조할 수 있다.따라서 기판을 가열하지 않고 반응 가스 중 산소 함량비를 비교적 낮은 일정한 범위내로 제어하여 써미스터 박막을 형성하기 때문에 저온용 재료를 박막형성용 기판으로 광범위하게 이용할 수 있으며, 비교적 낮은 산소 함량비의 가스를 사용하기 때문에 박막의 형성속도가 크고 전기적, 기계적 특성의 신뢰성 및 재현성이 우수한 박막 써미스터 소자를 제조할 수 있다.본 발명은 타겟의 제조에서 박막써미스터의 제조까지 제조전반에 걸친 내용이기 때문에 부품의 양산에 바로 적용이 가능한 특허이다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 고분자재료
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2002-06-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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