일반기술

이온주입에 의해 형성된 필드 에미터 팁의 구조 및 그 제조방법

본 발명은 FED의 Field Emitter Tip에서 방출되는 전자를 tip 중앙으로 집중시킥 위해 Emitter Tip에 ion을 주입하여 화소구동 유효전자의 방출갯수를 증가시킬 수 있는 field emitter tip구조 및 그 제조방법.본 발명은 필드 에미션 디바이스의 필드 에미터의 팁에서 방출되는 전자를 팁의 중앙으로 집중시키기 위해, 그 에미터 팁에 이온을 주입함으로써, 화소구동 유효전자의 방출갯수를 증가시킨 필드 에미터 팁의 구조 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 위해, 본 발명에서는 상기 필드 에미터 팁의 일부분에 마스킹을 통해 실리콘이온을 주입한다. 바람직하게는 상기 필드 에미터의 팁의 첨두부분의 직하로 상기 기판까지의 부분을 제외한 부분에 마스킹을 통해 이온을 주입한다. 본 발명의 필드 에미터 제조방법은 기판 상에 상기 필드 에미터의 팁을 형성하는 과정, 상기 필드 에미터의 팁부분에 이온이 주입되는 부분을 제외하고는 포토레지스트를 입히는 마스킹 과정, 상기 포토레지스트가 입혀지지 않은 필드 에미터의 팁부분에 이온을 주입하는 과정, 상기 포토레지스트 부분의 상방에 광차단층을 입히는 단계 및 상기 포토레지스트를 제거하기 위하여 상기 광차단층위로 광을 조사하여 현상하는 과정을 포함한다.이온 주입 방법을 이용하여 전자 방출 Emitter를 제작한 FED 기술