일반기술

기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법

본 발명은 마이크로 소자의 희생층 제거 방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼(20)의 상부에 기능성 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막의 상부에 상기 기능성 막을 보호하는 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막을 식각시켜 실리콘 웨이퍼(20)를 오픈시키는 단계와; 상기 오픈된 실리콘 웨이퍼(20)를 통하여 고체 상태로부터 승화된 XeF₂가스를 사용하여 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 식각함으로써 상기 기능성 막을 상기 실리콘 웨이퍼(20)로부터 부상된 형태를 형성하는 단계로 구성된다.따라서, 본 발명은 부상된 형태의 기능성 막을 갖는 마이크로 캔틸레버 또는 브리지 형태 등의 구조물을 형성하기 위하여 실리콘의 희생층을 효율적으로 제거하여 부상된 형태의 기능성 막의 전기 기계적 특성을 최종 공정까지 용이하게 유지할 수 있는 효과가 있다.본 발명은 마이크로 소자의 희생층 제거 방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼(20)의 상부에 기능성 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막의 상부에 상기 기능성 막을 보호하는 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막을 식각시켜 실리콘 웨이퍼(20)를 오픈시키는 단계와; 상기 오픈된 실리콘 웨이퍼(20)를 통하여 고체 상태로부터 승화된 XeF₂가스를 사용하여 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 식각함으로써 상기 기능성 막을 상기 실리콘 웨이퍼(20)로부터 부상된 형태를 형성하는 단계로 구성된다.따라서, 본 발명은 부상된 형태의 기능성 막을 갖는 마이크로 캔틸레버 또는 브리지 형태 등의 구조물을 형성하기 위하여 실리콘의 희생층을 효율적으로 제거하여 부상된 형태의 기능성 막의 전기 기계적 특성을 최종 공정까지 용이하게 유지할 수 있는 효과가 있다.