일반기술

Lattice Mismatched(격자 부정합)기판의 새로운 GaN 박막 성장 과정

본 기술은 GaN 박막의 특성을 제어하는 방법이다. 액체 금속 Ga의 버퍼 레이어는 사파이어 같은 lattice mismatched(격자 부정합)기판의 격자 위에 고품질의 에피택시얼 GaN 박막성장을 용이하게 하도록 최적화 되어있다. 이 기술의 새로운 버퍼는 박막의 전기적이고 구조적인 특성을 개선하였다. 또한 이 금속성의 액체 갈륨 버퍼는 새로운 버퍼에 젖어 있는 어떤 lattice mismatched 기판 위에라도 고품질의 GaN 필름의 성장에 이용될 수 있다. 이것은 현재의 잘 발달된 디바이스 기술에 GaN 디바이스 기술을 집적하는데 중요한 장애를 없애주고 게다가 메탈릭 갈륨 버퍼 레이어가 일반적으로 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 위한 1000K 또는 그 이하의 높은 성장 온도에서 그리고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 위한 1300K의 온도에서 GaN 의 메인 레이어의 이후 성장에서 바람직한 2차원의 결정핵 생성 조건을 제공하기 때문에 메탈릭 Ga 버퍼 레이어의 사용은 어떤 Ⅲ-N의 박막 성장 프로세스에 이득이 된다.개선된 에피택시얼 GaN 박막의 전기적 구조적 특성새로운 메탈릭 액체 Ga 버퍼로 젖은 lattice mismatched 기판에 사용될 수 있다.어떤 Ⅲ-N 의 박막 성장에도 이득이 된다.