일반기술

집속 이온빔 소스

이 기술의 목적은 microamp급의 출력 전류를 가지는 집속 이온빔 시스템(FIB)에 관한 것이다. 또한 이 기술로 생기는 마지막 빔의 spot 사이즈가 0.1.mu.m 이하이며, microamp 전류를 방출하는 이온 소스를 위한 전극 장치가 있다. 이 FIB 시스템은 이온 소스의 밝기를 적당한 1차(플라즈마)와 2차(방출) 전극을 조절함으로써 증가를 시킬 수 있으며 가속기와 집속 전극은 마지막 빔을 만드는데 사용된다. 구체화를 위해서는 5개의 전극이 사용되고 이것들은 매우 조밀하게 20mm의 길이를 가지고 FIB 시스템을 이룬다. 다중 beamlet 시스템이 처리량을 증가시키기 위해 제작 될 수 있고 이 기술은 나노리소그래피와 앞에서 말한 spot 사이즈가 0.1.mu.m 이하이므로 역시 그 정도의 사이즈급의 반도체 디바이스의 제작에 도핑과정에서 응용할 수가 있다.- 이온 현미경의 고해상도 스캐닝- 나노리소그래피- IC 제조에 있어서 failure 분석 및 설계 변경- 광학, X-ray 리소그래피 마스크의 수리- 미세기계가공- 마스크가 없는 반도체 도핑