일반기술
마이크로 프로세서 제작을 위한 이온 소스
이 새로운 IPL(intense pulsed light) 기술은 마스크 없는 마이크로 빔 리소그래피(MMRL:Maskless Micro-beam Reduction Lithography)로 불리고 있다. 이 기술에 의한 feature size는 50nm 이하이다. 이 MMRL 시스템은 기존의 IPL 시스템의 제일 첫 번째 단계를 없애기 위해 이용되는데 기존의 첫 번째 단계는 스텐실 마스크와 마스크 자체에 복잡한 빔 광학 설계가 필요하다. 이 새로운 시스템은 multi-cusp plasma generator 와 multi-beamlet extraction system, accelerator column for beam reduction로 이루어져 있다. RF(radio frequency) 유도 방전은 석영 안테나와 자기 필터를 사용하여 매우 낮은 에너지로(1eV이하) 깨끗한 플라즈마를 발생시킨다. multicusp generator 의 열려 있는 끝부분은 방출 시스템에 의해 둘러싸여 있고 절연소재로 된 layer에 의해 분리되어 있는 두 개의 전극 위에 있는 multi-beamlet aperture의 배열로 이루어져 있다. 완전한 1차 전극은 Si로 도핑 되어 있고 플라즈마 체임버의 벽에 대해 음으로 바이어스 되어 있다. 두 번째 전극은 단지 빔의 통로로서 구리로 코팅되어 있다. 이러한 설계로 각각의 beamlet은 첫 번째 전극에 대해 두 번째 전극 안에 있는 각각의 aperture를 바이어스 시킴으로서 on, off 스위칭을 할 수 있다. 이런 식으로 이 방출 시스템은 웨이퍼 기판에 어떤 패턴이든 만들 수 있다. 이 빔 스위칭 테크닉은 nine-hole 방출 시스템에서 사용되었다. 범용 패턴 생성기에서 최근에 나온 beamlet은 가속 칼럼을 통하여 75keV까지 가속된다. 이 영상은 웨이퍼표면에 도달하기 전에 모든 정전렌즈 시스템에 의해 사이즈가 축소된다. 빔의 축소는 50배율 정도로 가능하고 정교한 광학적인 계산과 설계는 MEBS Ltd에서 나온 Munro 코드를 사용했다.- 50nm이하의 사이즈- 작은 에너지- 웨이퍼 기판에 어떤 형태의 패턴도 생성시킬 수 있음- 이전의 IPL시스템에서의 첫 번쩨 단계가 없어짐
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2002-07-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.