일반기술

양전자 분석장치

1. 시료에 양전자를 투과시킨 후 양전자소멸시간을 측정하여 시료의 미세구조결함을 분석하는 종래의 양전자응용분석장치는, 설치시 많은 공간을 차지하고, 분석하고자 하는 시료를 양전자원의 양쪽에 비채히야 하는 구조이므로 동일한 두 개의 시료를 준비해야할 뿐만 아니라 시료의 크기가 클 경우 분석이 어려운 문제점이 있었으므로, 양전자원에서 양전자가 생성되면서 발생되는 감마선과 양전자가 시료내부로 침투하여 시료내부의 전자들과 만나 소멸하는 과정에서 발생되는 감마선을 검출하여 그에 따른 전기신호를 생성하는 검출기 및 시료 캐비넷과, 검출기 및 시료 캐비넷으로부터 발생된 전기신호를 받아 양전자의 수명을 결정함에 의해 시료의 미세구조결함을 분석하는 전자모듈캐비넷을 포함하여 구성되는 소형화된 양전자 응용분석장치.2. 종래의 양전자 분석장치는 원자수준의 크기를 가진 공격자결함의 농도가 1 PPM 이하인 시료의 분석이 사실상 어려우며, 전자를 이용하므로 시료표면에 전하가 축적되어 전기적으로 취약한 시료에 대한 분석이 어렵고 비교적 고가의 비용이 소비된다는 문제점이 있었으므로, 양전자원에서 양전자가 생성되면서 발생되는 감마선을 검출하는 스타트신호용 섬광검출부와, 양전자가 시료내부로 침투하여 시료내부의 전자들과 만나 소멸하는 과정에서 발생되는 감마선을 검출하는 스톱신호용 섬광검출부를 포함하여 구성되는 양전자응용 분석장치.3. 양전자들이 분석하고자 하는 시료표면에 침투되어 시료중의 전자와 결합하여 감마선을 방출하고, 시료중의 결함의 크기 및 농도에 따른 감마선 스팩트럼을 방출하게 되는 특징을 이용하여, 시료의 결함위치에 따른 시간차를 측정함으로써 시료 표면의 결함위치를 계산하도록 함으로써, 양전자 가둠용기 및 양전자 주입구를 스캔하는 과정을 통해 분석하고자 하는 시료 표면 전면에 대한 결함위치 분석이 가능한 스캐너형 양전자 분석장치.1. 양전자응용분석을 위한 각종 장치를 집적시킴으로써 전체 시스템을 소형화시킬 뿐만 아니라 이동을 용이하게 하고, 한 개의 시료로도 분석이 가능하며, 검출기의 예비시이트를 마련하여 시료의크기가 클 경우에도 분석이 가능하다.2. 양전자의 소멸시간을 측정하여 시료를 분석함으로써 전기적으로 취약한 시료의 분석이 가능하고, 양전자의 소멸시간이 보통의 완전격자의 위치보다 전자밀도가 낮은 공격자점에서 길어진다는 원리에 착안하여 시료를 분석함을로써 원자단위의 극미세한 격자결함을 분석할 수 있다.3. 스캐너형 양전자 발생장치의 경우, 이동과 사용이 용이하며 시료 전면에 대한 분석이 가능하다.