일반기술
반도체 웨이퍼 세척액(패턴붕괴 방지 세척액)
본 기술은 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성 방법 및 이 방법에서 사용되는 반도체 웨이퍼 세척액에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼상에 레지스트 패턴(resist pattern)을 형성하는 리소그라피(lithography) 공정에서 레지스트 패턴의 크기(DICD, after Development Inspection Critical Dimension)가 미세화되면서 발생되는 패턴 붕괴 현상을 해소하기 위한 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 기술은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 0.10㎛ 이하의 미세 패턴에 있어서도 패턴 붕괴 현상을 해결할 수 있는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2002-08-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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