일반기술

단일극성전하 감지를 위한 전극구성

이 기술은 상온에서 동작하는 반도체 감마레이 탐지기의 설계를 가능케 하는 독특한 전극구조에 관한 것이다. 이 기술은 모든 반도체 전하 센서에 적용이 가능하고 이 기술은 반도체 감마레이 탐지기의 생산자들에게 흥미를 이끌 것이다. 상온에서 동작하는 감마선 탐지기를 개발하는데 있어서 높은 원자번호와 넓은 밴드갭을 가진 반도체들에 대한 조사가 되어 왔는데 예를 들어 HgI2, CdTe, CdZnTe와 같은 것들이다. 이러한 디텍터들은 높은 탐지효율과 극저온 냉각 그리고 잠재적으로 우수한 에너지 해상도를 가지고 있다. 이러한 반도체들의 다양한 응용이 성공적으로 이루어졌음에도 불구하고 디바이스의 광범위한 사용은 그것들의 전하포획문제가 장애가 되었다. 이는 낮은 에너지 해상도를 일으킨다. 최근의 연구방향은 단일극성 감지 디바이스에 초점이 맞춰져 있다. 이것은 동일면상의 전극을 채용하고 현재 상온 반도체 탐지기의 출력시스템 설계에서 주요한 변화를 일으킨다. 에너지 해상도에 대해 많은 개선이 있었음에도 불구하고 이 설계는 에너지 해상도를 낮게 만든다. 또한 wire bounding 테크닉은 구조를 매우 복잡하고 손상이 쉽게 가도록 만들었다. 이 기술은 단일 극성 전하 감지 디바이스로서 중앙 coplanar electrode로 둘러싸인 경계 전극을 활용하고 있다. 이것은 더 나은 측정 정확도(에너지 해상도)를 가지고 있다.다른 구조 보다 더 나은 정확한 측정도를 제공한다.튼튼하고 신뢰성이 있다.다른제품보다. 더 쉽고 싸게 생산할수 있다.포토리소그래피와 스퍼터링 공정같은 표준 반도체 금속공정에 사용될수 있다.넓은 반도체 밴드갭의 hole-trapping 문제가 없다.