일반기술

기화 에칭이 강화된 탄소

본 기술은 습식 현상 과정을 거치지 않는 건식 현상 기술에 관한 것이다. 본 기술은 전기 회로의 기판이 되는 실리콘 옥사이드 물질 위에 기판 설계 및 제조 시에 현상액 처리 과정을 거처지 않기 때문에 공정이 단순해지고, 부가적인 장비들을 줄일 수 있으며 경제적인 손실을 줄일 수 있다. 습식 현상을 거치지 않는 건식 현상 과정으로 인쇄하기 때문에 더욱 더 선명한 회로 기판을 얻을 수 있다. 본 기술은 실리콘 옥사이드 위에 전기 회로 제조 공정에서 습식 화학 물질이나 가스 플라즈마와 접촉을 차단하고, 불화 수소 분위기에서 탄소의 첨가에 의해 실리콘 옥사이드의 에칭율 (선명도)은 크게 증가하게 된다. 탄소는 실리콘 옥사이드의 내부에 또는 표면에 도포된 유기 또는 무기 물질에 의해 공급된다. 즉, 본 기술은 탄소의 공급원으로서 유기 또는 무기 물질을 사용할 수 있으므로 재료의 제한이 없다. 특히 집적 회로와 같이 선명도가 매우 중요한 기판 설계에 있어서는 중요한 기술로 판단된다. 0.1마이크로의 폭과 5나노미터의 두께를 가진 선으로 기판을 제조할 수 있다. 즉, 본 기술은 고정밀성을 갖기 때문에 미세 기판 설계시에도 특별한 장비가 필요없다.정교하고 미세한 회로 설계 가능.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
보유기관
대일기업평가원
기술유형
일반기술
등록일
2003-01-27
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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