일반기술

마이크로웨이브 장치에 사용되는 초전도 능동 집중 부품

일반적으로, 배치 구성요소들 중 일반 또는 초전도 집중 구성요소들의 크기가 갖는 이점은 저 주파수(01-20 GHz) 광대역 마이크로웨이브 회로에서 돋보인다. 보다 엄격한 설계 사항들을 가진 응용예에 있어서, YBa2Cu3O7와 같은 금속-산화물 초전도 물질들의 사용이 Au같은 종래의 금속 또는 GaAs와 같은 초전도체에 비해 더 나은 것으로 알려져 있다. 이는 낮은 마이크로웨이브 주파수(20 GHz)와 낮은 온도(S77Y K) 하에서 종래의 재료에 비하여 금속-산화물 막에서의 열 발산과 확산이 상당히 적기때문으로 알려져 있다. 또한, 이들의 작은 크기로 인해, 집중 회로 소자들은 쉽게 단일 칩 위의 구성요소들 또는 집중 구성요소들과 결합하여 보다 향상된 가변성을 보인다. 더욱이, 초전도체/절연체 금속-산화물 헤테로구조물로 이루어진 집중 구성요소들은 다음과 같은 독특한 성질을 갖는다. 상기 구성요소들의 마이크로웨이브 반응이 전기장에 의해서 모듈레이션 되고, 따라서 새로운 종류의 능동 마이크로웨이브 구성요소들을 형성할 수 있게 되는 것이다.종래의 재료로 구성된 구성요소에 비하여 적은 열발산과 열확산을 가짐칩 위의 다른 구성요소들과의 결합을 통해 보다 향상된 가변성을 보임마이크로웨이브 반응이 전기장에 의하여 모듈레이션 됨.