일반기술

산소 주입에 의해 형성된 다중 두께 게이트 산화물

본 기술은 sub-5 나노미터 박막 산화물 기술에 대해 산소 주입을 사용함으로써 다중의 게이트 산화물 두께를 성장시키는 기술이다. 기술적으로 매우 진보된 sub-5나노미터 실리콘 웨이퍼는 논리 회로, 메모리 요소 그리고 공급 전압 등의 다양한 요소들이 조합된 결합체라고 할 수 있다. 이런 다양한 요소들의 결합은 단일 웨이퍼 위에 다중의 게이트 산화물 두께를 필요하게 한다. 게이트의 산화 전에 실리콘 기질에 대해 질소를 주입하면 주입된 영역에서 열적 산화물 이온 비율을 감소시킴으로써 다중의 게이트 산화물 두께를 형성할 수 있다. 그렇지만, 많은 질소 주입은 주입된 영역이상으로 성장한 게이트 산화물의 신뢰성을 떨어뜨리게 된다. 본 기술은 실리콘 웨이퍼 위에 다중의 게이트 산화물 두께를 만들어 내기 위하여 선 (먼저)- 산화와 후 (나중)- 다중 침전 산소 주입 방법을 사용하고 있다. 이런 방법으로 제조하면, 질소 주입 산화물과 통제된 (주입되지 않은) 산화물에 비하여 더 나은 QBD 특성을 얻을 수 있다. 특히, 산소 주입법을 사용함으로써 산화물의 특성을 떨어뜨리지 않고 20 옹그스트롱 (10–10) 까지 산화물 두께를 조절할 수 있다.20 옹그스트롱까지 산화물 두께 조절 가능단일 실리콘 웨이퍼 위에 다중의 게이트 산화물 두께 증착 가능주입된 영역 이외에서도 게이트 산화물의 신뢰성 향상