일반기술

다중-터널링 층 플래쉬 메모리

본 기술은 긴 메모리 보유시간을 가지면서 빠른 프로그래밍이 가능한 특별한 플래쉬 메모리 장치이다. 반도체 메모리 셀에 대한 규모의 확대 메모리 배열 크기의 증가는 생산 단가의 저하, 전력 소비의 저하와 함께 고밀도, 고성능의 차세대 셀 설계에 대한 필수 요건이다. DRAM의 경우는 캐패시터의 크기와 빈번하게 발생하는 순간적 고전력소비 때문에 규모를 크게 하기 어렵다. 반면에, 플래쉬 EEPROM은 빈번한 고전력소비가 없고, 규모를 크게하는 것도 가능하지만, 프로그램의 속도가 너무 느리다는 단점이 있다. 단일 산화물 터널링 층을 가진 전통적인 플래쉬 메모리들은 비록 낮은 경계 터널링 층은 메모리 보유 시간이 감소한다는 단점과 터널링 경계가 너무 높다는 문제점이 있다. 더 나은 프로그래밍/지우기/ 메모리 보유시간 증가를 위해서는 터널링 층 구조의 새롭게 디자인하는 것이다. 본 기술은 이런 단점을 보완하기 위하여 여러 개의 터널링 층을 가진 플래쉬 메모리를 개발한 것이다. 본 기술의 일반적인 다중 터널링 층 구조는 다른 플래쉬 메모리 형태에도 응용이 가능하다.메모리 보유 시간의 향상빠른 프로그래밍이 가능다른 형태의 플래쉬 메모리에도 응용 가능