일반기술

뒷부분-밝게된 (기존 기술의 문제점을 해결한) 광전기화학적 (BIPEC) 에칭

물질의 형태와 모습을 제어하기 위하여 반도체 제조 과정에서 에칭을 하는 경우가 있다. 농도와 온도 같은 요소들의 변화는 결정학적이고 등방성의 애칭을 하기 위한 화학적 애칭을 골고루 행하기 위하여 사용된다. 전류나 전압은 에칭을 제어하는데 오래도록 사용되어온 방법이었으나, 최근에는 에칭을 제어하기 위한 더 우수한 방법으로서 반도체에 의한 빛의 흡수가 발견되었다. 광전기화학적인 (PEC) 에칭으로 알려진 이와 같은 방법은 다른 에칭법에 비해 여러가지 잇점이 있는데, 그 예로서 필요 이상의 밴드갭 발광에 대해 정확한 제어는 직선의 그리고 저 손실의 측벽 (sidewalls)의 빠르고 저렴한 생산이 가능하게 한다. 그런데, PEC법은 탁상지 (mesa) 또는 경유 (via) 에칭에 유용하지만, 밑면 가공 에칭에는 적당하지 않다. 이와 같은 특성 때문에, 밑면 가공 에칭은 순수한 화학적 방법이나 전기화학적 방법으로 가공한다. 한편, III-질화물 반도체에 있어서, 밑면 가공 에칭은 이런 부류의 물질에는 적당하지 않기 때문에 가공이 불가능하다. 본 기술은 에칭이 불가능한 조건에서 III-질화물과 같은 물질의 전기화학적 애칭이 가능하도록 광이 발생되는 구멍을 이용한 특별한 에칭 공정을 개발한 기술이다. 본 기술은 사용된 조건이나 물질에 따라, 꺼꾸로된 원추 그리고 밑면 가공 구조와 같은 다양한 에칭 형태나 모습을 가공할 수 있다. 또한, 본 기술은 반도체 웨이퍼 가공 공정 특히 강력한 밑면 가공 및 새로운 형태를 생산하는 광전기화학적 에칭에 적용할 수 있다.III-질화물에 대한 에칭 가능밑면 가공을 필요로 하는 물질의 제조꺼꾸로 된 원추나 철책의 가공 가능