일반기술

쌍극 분사 수송 시간 장치

준-밀리미터와 낮은 밀리미터 파장 주파수를 가진 반도체 장치 발진기는 공명 터널 다이오드 (RTD)를 사용하도록 요구되고 있다. RTD는 반도체 장치에 있어 712GHz의 가장 높은 진동을 나타내도록 설계되었으며, 지금까지 역대 가장 높은 주파수 트랜지스터 발진기는 213GHz였다. 그러나, RTD는 효율적 응용을 어렵게 하는 불요(不要)진동 (타고난 직류 마이너스 저항 때문에 발생)을 나타낸다. 한편, 기존의 회로 석판 기술을 사용하여 장치의 동작 원리는 100GHz정도까지 실리콘 쌍극 트랜지스터의 주파수 능력을 업그레이드할 수 있다. 또한, HBT가 100 – 400GHz에서 쉽게 동작할 수 있도록 한다. 본 기술은 BIPOLITT (Bipolar Injection and Transit Time)라고 명명된 새로운 준-밀리미터와 낮은 밀리미터 파장 수송 시간 장치에 관한 기술이다. 본 기술은 RF 전력을 발생시키기 위하여 헤테로접합 쌍극 트랜지스터 (HBT)와 유사한 구조에서 드리프트 지역 안으로 쌍극의 주입을 사용하고 있다. 준-밀리미터와 낮은 밀리미터 파장 주파수에서 동작 특성은 RTD에 필적할만한 우수한 마이너스 저항과 효율을 나타낸다. 그렇지만, RTD의 문제점인 불요진동의 문제는 전혀 없다. 본 기술은 주입 잠금 증폭기 모드에서도 동작이 가능하며, 1THz까지 동작하는 초고주파 소스까지 응용 가능하다.기존의 HBT 기술을 응용한 새로운 기술 개발RTD에 비해 저렴하고 RTD의 단점 해결주입 잠금 증폭기 모드에서도 적용 가능기존의 IMPATT에 비해 우수하고 RTD에 필적할만한 동작 특성