일반기술

CMOS 게이트 길이 측정법

산화물 반도체 전계 트랜지스터 (MOSFET)는 전류와 전압의 이득을 모두 제공할 수 있기 때문에 반도체 요소에서 폭넓게 사용되고 있다. MOSFET에 있어서, 게이트는 장치의 소스와 드레인 단자사이의 영역을 의미하게 된다. 전압은 게이트를 제어하기 위하여 사용되고 전류는 소스와 드레인 사이를 흐르게 된다. 게이트 길이는 소스와 드레인 영역사이의 거리를 나타내고 실리콘 기반의 MOSFET 장치에 있어서 중요한 요소이다. 본 기술은 수평의 터널 전류를 사용하므로써 MOSFET 장치에 있어서 게이트 길이를 측정하고 구하는 특별한 방법을 개발하였다. 본 기술은 대량 생산 라인에서 제조 과정의 조건을 제어할 수 있으며, CMOS의 기술에 응용할 수 있다. 한편, 본 기술은 0.1 마이크로미터 이하의 게이트 길이를 정확하게 측정할 수 있고, 간단한 조작법으로 인해 장치의 동작 특성을 보여주는 시간을 단축시킬 수 있다.게이트 길이 측정 가능대량 생산시의 제어 가능 (일정한 게이트 길이 제어 가능)수평 터널 전류를 사용한 정확한 계산