일반기술
반도체 결정 성장 제어법
본 기술은 반도체 결정의 성장을 제어하는 기술로, 액체수용, 수직경사 냉동법을 이용한 것이다.본 기술은 사용공정이 용이할 뿐 아니라, 열분해 보론 질화물 도가니에서 갈륨 아세나이드의 결정 성장동안 무작위적인 핵 형성과 적층을 막는다. 이와 같은 과정은 결정의 왜곡 밀도 (결정의 왜곡 현상이 일어나면 결정의 특성이 떨어지는 경우가 많음.)를 낮게하고, 결정의 직경을 제어할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 기술은 대표적으로 갈륨 아세나이드 결정 성장에 적용할 수 있지만 다른 반도체 물질의 결정 성장을 제어에도 적용될 수 있다. 본 기술은 왜곡 밀도가 낮고, 결정의 직경을 제어할 수 있으며, 무작위적인 결정 핵 형성을 제어할 수 있다는 특성을 가진다.무작위적인 결정 핵 형성 방지결정의 직경을 제어할 수 있음. 나노 결정 제조 가능결정의 왜곡 현상을 크게 줄일 수 있음
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-01-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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