일반기술

비극성 갈륨 질화물 박막 필름에서 왜곡의 줄임

현재 질화물 기술은 극성을 가지고 c-축으로 성장한 질화물 필름을 이용하는데, 이와 같은 극성을 가진 c-축 성장은 헤테로에피탁셜 필름에서 보여지는 자발적인, 압전의 특성을 가진 분극의 배열 형태를 나타내는 것이다. “고유 (Built-in)” 정전계는 c-평면 질화물 구조에서 자발적인 그리고 압전 특성에서 유도된 분극으로부터 발생한다. 분극 영역은 광학전기 및 전자 질화물 장치의 실행 특성에 역효과를 줄 수 있다. 예를 들어, 분극 영역은 레이저 다이오드와 발광 다이오드에서 캐리어 재결합률을 줄일 수 있다. 그러나, 비극성의 질화물 반도체의 성장은 왈츠 질화물 양자 구조에서 분극에 의해 유도된 전계를 제거하는 수단으로 사용된다. 본 기술은 헤테로에피탁셜 a-평면 GaN 필름에서 왜곡 밀도를 줄이기 위한 방법을 개발한 것이다. 비극성 a-평면 GaN 필름에서 왜곡의 줄임은 독특한 측면 과성장 기술을 이용한 것이다. 낮은 왜곡 밀도를 가진 비극성 GaN은 높은 실행 특성을 나타내고 분극이 없는 (Al, B, In, Ga)N-기반 장치에 대해 버퍼 층으로 사용될 수 있다.질화물 반도체에서 왜곡 밀도를 줄임장치의 실행 특성 향상