일반기술

우수한 특성의 p형 GaN과 합금의 제조

제조 과정에서 p형 GaN필름 안으로 과도한 수소 삽입은 도펀트의 부동태 피막 형성을 초래한다. 저 에너지 전자 방사 (LEEBI) 또는 열처리 처럼 과도한 수소를 제거하기 위하여 필요로 하는 전통적인 후성장 처리는 표면에서 질소의 손실이 발생하기 때문에 본질적으로 필름에 손상을 주게 된다. 본 기술은 제조 과정 동안 수소의 삽입을 예방하기 위한 특별한 개발 기술이다. 우수한 특성의 p-GaN 필름과 p-n 접합 장치는 에피탁셜 층의 어떤 후성장 처리가 필요없는 본 기술의 방법으로 얻어졌다. 본 기술은 전자와 광전자 장치를 위한 p형 GaN 필름을 적층할 때 여러가지 유용성을 가지고 있다. 본 기술은 고체 상태의 반도체 장치 뿐만 아니라 청색, UV 그리고 전 색상 발광 다이오드의 제조가 간편하고, 향상된 특성을 나타낸다. 본 기술은 앞에서 언급한 문제점을 최소화하기 위하여, p형 갈륨 질화물을 제조하는데 강력하고 생산적인 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 기술은 현재의 제조 과정 기술에 대한 포괄적이고 통합적인 기술이라 할 수 있다. 본 기술은 도펀트를 활성화시키기 위한 후성장 제조 과정 단계를 거치지 않고 도프된 갈륨 질화물 을 성장시키는 방법을 제시하므로써 기존의 문제점들을 해결하였다. 본 기술은 성장 과정이 멈추기 전에 성장 과정에서 수소를 제거하므로써 결정 구조 안으로 유입되는 수소의 양을 줄이는 방법이다. 그러므로, 본 기술은 갈륨 질화물 필름의 성장 후에 열이나 전자 빔 처리의 필요성을 줄이게 된다. 본 기술의 원리는 챔버 안으로 기질을 두고 기질을 열처리 하는 단계를 포함한다. 기질에 대한 전처리 후에, 일반적으로 암모니아인 갈륨 질화물을 성장시키기 위한 물질과 함께, 전형적인 트라이메틸 갈륨의 도펀트 가스가 챔버 안으로 유입된다. 그 후, 수소를 포함하는 가스는 기질을 냉각시키기 전에 꺼지게 된다.- 후성장 처리가 불필요- 필름의 손상을 초래하지 않음- 청색, UV. 전 색상 다이오드의 제조가 간편- p형 갈륨 질화물 제조의 강력한 기술