일반기술

강화된 산화물과 공기 Aperture Formation(구멍구조) 제조를 위한 이질적인 조성 반도체 구조

산화물과 공기 Aperture Formation는 반도체 레이져와 디텍터의 실행 특성을 향상시킨다. 그러나, 충분한 두께의 높은 산화성 물질에 대해 에피탁셜한 증착을 받아들이지 않는 물질 시스템에 있어서는 이와 같은 Aperture Formation를 만들어내는 것은 어려운 일이다. 특히, AlGaInAsP 시스템에서는 더욱 힘들다. 이와 같은 과정에서 물질의 낮은 산화율이나 제한된 두께는 광학적 또는 전류 Aperture Formation로서 사용이 엄격히 제한된다. 본 기술은 이질적인 조성의 산화물 Aperture Formation를 개발한 기술이다. 본 기술에서, Aperture Formation의 형태나 크기는 최대의 효과를 내기 위하여 개별적인 층들의 조성이나 두께를 변화시키므로서 자유스럽게 제어될 수 있다. 본 기술은 반도체 레이져, 디텍터 그리고 트랜지스터 특히 InP 위에 차차 가늘어지는 형태를 가진 공기 Aperture Formation와 같은 산화물 그리고 공기 Aperture Formation를 제조하는데 이용할 수 있다.- Aperture Formation의 형태나 크기를 자유롭게 할 수 있음- 이질적 조성의 산화물 Aperture Formation- 강화된 산화율