일반기술

경계/공간 층을 가진 3족-질화물 기반의 높은 전자 이동도 트랜지스터 (HTMT)

높은 전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)는 일반적으로 실리콘이나 갈륨 아세나이드로 제조된다. 그러나, 실리콘은 낮은 전자 이동도를 가지며, HEMT의 실행 이득을 감소시키는 높은 소스 저항을 만들어 내는 단점을 가진다. GaAs 기반 HEMT는 레이다, 휴대폰, 인공 위성 등에서 시그널 증폭에 대한 표준으로 사용되며, Si 기반의 장치에 비하여 높은 전자 이동도와 낮은 소스 저항을 보인다. GaAs 기반 HEMT가 높은 주파수에서 기능을 발휘하지만, GaAs의 상대적으로 낮은 밴드갭과 절연파괴 전압은 GaAs-기반 HEMT가 높은 주파수에서 고 전력을 만들어내지 못하도록 한다. 본 기술은 쌍극자 층에서 유도된 박막 분극을 포함하는 새로운 HEMT구조를 개발한 기술이다. 경계 높이가 증가하고 경계 안으로 전자파 함수의 침투가 감소되므로서, 새로운 배열을 가지는 본 기술은 특히 저온에서 전자 이동도를 향상시킨다. 본 기술은 높은 주파수, 높은 온도, 높은 전력을 필요로 하는 전자 장치에 응용이 가능하다.- 고 전력을 만들어내는 것이 가능- 저온에서 전자 이동도 향상- 높은 주파수, 높은 온도, 높은 전력을 필요로 하는 장치에 응용 가능