일반기술

트래핑이 감소한 3족-질화물 기반의 FET와 HEMT

마이크로파 시스템에서 증폭기와 발진기로서 고체 상태 트랜지스터의 사용은 시스템의 크기를 줄이고 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 작은 주안테나에서 사용 가능한 고주파 신호는 더 많은 정보를 전송할 수 있기 때문에, 최근 마이크로파 시스템의 사용이 증가함에 따라 시스템의 작 주파수와 전력 증가에 관심이 고조되고 있다. 전계 트랜지스터 (FET)와 높은 전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)는 두가지 모두 실리콘 (Si)이나 갈륨 아세나이드 (GaAs)로부터 제조되는 고체 상태 트랜지스터의 가장 일반적인 형태이다. 그러나, Si의 낮은 전자 이동도는 트랜지스터의 실행 특성을 저하시키는 높은 소스 저항을 형성하게 된다. 비록 GaAs는 Si에 비해 더 높은 전자 이동도를 가지지만, 상대적으로 낮은 밴드갭과 절연파괴 전압은 GaAs 장치의 높은 주파수에서 높은 전력을 공급을 어렵게 한다. 본 기술은 AC 게이트 드라이브에 대한 반응에서 향상된 증폭 특성을 보이는 3족-질화물 기반 FET와 HEMT, 특히 GaN/AlGaN의 형태로 주로 제조되는 특별한 제조 기술이다. 본 기술에서 독특한 경계층은 증가된 상호 콘덕턴스를 만들어내고, 한편으로는 경계층 위에 코팅된 새로운 절연층이 트랜지스터의 높은 주파수에 대한 반응이 느려지는 것을 예방하도록 경계층에서 트랩을 없앤다.- 반응 속도를 느리게 하는 트랩 제거- 높은 주파수에서 실행 특성의 향상- 증폭 특성이 향상