일반기술
반도체(SiO2) 식각 완료시점 측정기술
본 기술은 CFx 플라즈마로 SiO2 기판을 식각 할 때 반응 부산물인 CO 와 반응 염기인 CF2 의 발광스펙트럼 선들의 세기의 변화를 측정하여 SiO2 기판의 식각 완료시점을 측정하는 기술이다. 식각 완료시점(Endpoint)이란 반도체 기판위에 증착된 물질중에서 식각하려고 하는 물질이 완전히 식각이 되는 시각이다. 비접촉식이므로 플라즈마의 특성에 영향을 주지 않으며, 단색화장치(monochromatar)를 사용하지 않고 간섭필터를 사용하여 장치가 간편한 장점이 있다. - 플라즈마의 발광분광선을 이용하므로 비접촉식기술임- 단색화장치를 사용하지 않고 간섭필터를 사용한 간편한 장치임.- 식각완료시점 전 후에서 발광분광선의 세기가 반대인 두 신호세기의 신호비를 사용하므로 신호대 잡음비(S/N)가 높은 신호를 얻을 수 있는 장치임.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 계측기기
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-01-03
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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