일반기술

반도체 박막두께 측정용 인증표준물질 제조기술

본 기술은 반도체 공장의 생산라인에 설치되어 있는 타원해석기(Ellipsometer) 교정에 사용되는 박막두께 인증표준물질을 제작하는 기술이다. 256 메가디램 이상의 고집적 메모리 생산을 위해서는 두께가 5 나노미터 이하인 초 미세 산화 박막에 대한 비파괴적 초정밀 측정기술과 박막들의 두께와 굴절률이 정확하게 측정된 다양한 종류의 인증표준물질이 필요하다. 현재 미국의 VLSI 에서 박막두께용 인증표준물질을 전세계에 보급하고 있으나 국내 반도체 산업에서는 더욱 얇고 다양한 박막 두께 인증표준물질들을 요구하고 있다.미국 표준기관인 NIST의 박막두께용 인증표준물질이 3인치 웨이퍼급으로 시료두께가 10∼200㎚ 사이 6종의 단결정실리콘(SiO₂) 박막두께 측정에 한정된 것인 데 비해 한국표준과학연구원에서 개발한 인증표준물질은 8인치 공정용 웨이퍼를 이용하여 시료두께 5∼500㎚ 사이 15종의 단결정SiO₂박막두께를 교정할 수 있으며 3∼45㎚ 사이 7종의 실리콘나이트라이드(Si₃N₄) 박막두께, 50∼800㎚ 사이 17종의 다결정실리콘 박막두께를 교정할 수 있는 것이 특징이다. -각종 반도체 박막의 정확한 두께 및 굴절률 측정시 활용가능-각종 박막의 정확한 박막두께 및 굴절률 측정시 유용하게 활용가능함.