일반기술

수평 전류가 흐르는 쌍극 트랜지스터

Si 쌍극 트랜지스터의 구조는 자발적 배열, 이중의 폴리실리콘, 트랜치-격리 기술 등으로 제조된다. 최근, 새로운 제조 과정의 개선과 물질들의 도입으로 제조 공정이 많이 향상되었지만, 트랜지스터는 가장 초기의 형태인 이중-확산 pn 접합인 Si 쌍극 장치와 유사한 형태에 기초하여 제조되고 있다. 측면 쌍극 트랜지스터 (LBT)로 알려진 다른 쌍극 구조는 수평의 전류가 흐르고 실리콘-온-인슐레이터 (SOI) 기술을 가지고 제조되어진다. 그러나, 이와 같은 트랜지스터는 실리콘 기질의 장치에 비하여 좋지 않은 고-주파수 특성을 나타낸다. Si-기질을 기반으로 하는 기술은 일부의 LBT를 제조하기 위하여 사용할 수 있지만, 이와 같은 경우에는 최적의 LBT를 제조하기 힘들고, 좋지 않은 전기적 특성을 나타낸다. 본 기술은 수평의 전류가 흐르는 쌍극 트랜지스터 (HCBT)라는 이름이 붙여진 특별한 트랜지스터 장치를 개발한 기술이다. 본 기술의 HCBT는 쌍극 장치를 포함하고 있는 집적 회로의 동작 특성을 향상시킬 수 있다. 한편, 본 기술은 쌍극 또는 BiCOMS 회로의 설계에 응용할 수 있다. 장치의 부피를 줄이고, IC 틀의 크기를 줄일 수 있음. 고-주파수 특성의 향상. 낮은 생산 단가와 제조 과정의 단순화. Si와 SiGe 기술에 적용 가능