일반기술

Ga, In, Al, B에 기초한 수직의 광학 장치에 대해 전류 제한을 위한 주입

다양한 조명과 디스플레이 응용분야에서GaN 발광 다이오드 (LED)의 수요는 급격히 증가하고 있다. 이와 같은 많은 응용분야에 있어서, 공명 캐비티 LED (RCLED)와 GaN 수직 캐비티 레이져 (VCSEL)는 다중 장치 시스템으로 결합하기 쉬운 형태 뿐만 아니라 낮은 비용의 배열과 수직적 발산 등이 가능하다는 잇점을 가지고 있다. 그러나, 지나친 접촉이 생성된 빛을 흡수하지 않는 활성 지역으로 주입된 전류를 p형으로 도프된 GaN의 저항성 특성이 보내기 어렵게 만든다. 결합된 박막, 투명 접촉에 의한 전류 번짐은 전류 제한에 대한 대안으로서 조사되어 왔다. 그러나, LED 제조에 주로 사용된 박막 옴 접촉은 VCSEL에 사용하기에는 너무 많은 흡수 특성을 보인다. 인튬-주석 산화물 (ITO)과 같은 투명 박막 산화물은 전류 번짐에 대해 매력적인 옵션을 나타내지만, 그와 같은 물질들 또한 높은 전류 밀도에서 불확실한 특성을 나타내고 장치의 동작 특성을 감쇠시키는 쇼트키 특성을 보인다. 본 기술은 투명한 전류 번짐 접촉이 필요없는 RCLED와 VCSEL에 대한 특별한 제조 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 p형으로 도프된 GaN을 선택적으로 무질서하게 하기 위하여 이온 주입을 사용한 기술이다. 이온 주입을 하므로써 주입되지 않은 저-저항성 영역에 대해 전류를 제한한다. 결과적으로, 이와 같은 방법은 p-접촉 아래로 빛의 발산을 막음으로써 흡수를 줄이게 된다. 또한 본 기술은 이온 주입 후에 재성장된 p-GaN 층의 결합이 가능하다. 따라서, 손상된 측면 전도도의 통로와 연속적인 옴 접촉이 형성될 수 있도록 한다. 향상된 캐비티 특성과 향상된 장치의 동작 특성. 장치의 주입되지 않은 영역으로 빛이 발산되지 않도록 제한함. ITO 접촉 장치보다 더 긴 내구성