일반기술

향상된 반도체의 화학적-기계적 평면화/연마 기술

반도체 장치들이 마이크로화 되고 장치에서 조작 단계의 수가 증가함에 따라, 절연체의 평면 가공 (평평한 가공)은 다중 조작 단계가 상호연결된 장치의 제조시에 중요한 핵심이 되고 있다. 화학적-기계적 연마 (CMP)는 우수한 평면 물질을 얻어내기 위한 기술로 사용되고 있고, 차세대의 마이크로 장치에 유용한 기술로서 평가받고 있다. 그러나, CMP는 평면 가공에 있어서 끝부분을 정확하게 판단하기 어렵기 때문에, 허용 오차 내의 두께를 가진 산화물과 같은 절연 물질을 연마하기 힘들다는 단점을 가지고 있다. 끝부분을 감지하는 방법으로는 시간 소비, 레이버 인텐시브 그리고 물질에 대해 과도한 제거나 오히려 원하지 않은 부분의 제거 때문에 줄어진 공정 생산에 대한 프론 등이 있다. 본 기술은 반도체 장치의 제조에 적합하고 실시간 CMP 감지가 가능한 특별한 방법과 장치를 개발한 기술이다. 본 기술의 장치는 웨이퍼의 표면 상태에 대한 데이터를 얻고, CMP 제어 메커니즘에 다시 데이터를 전송하기 위하여 특별한 감각전달 모드를 사용한다. 본 기술은 매우 감각적이고 상대적으로 값이 저렴하다. 따라서, 기존의 CMP 기술의 심각한 문제점들을 해결할 수 있다. 본 기술은 0.5마이크로 정도의 절연 CMP를 제조하는데 유용한 기술로 사용될 것으로 기대된다.마이크로 단위의 절연 CMP 제조 가능. 저렴한 제조 단가. 데이터의 피드백 가능