일반기술

집적 반도체 주입 장치를 가진 초소형 고상 레이져

레이져 다이오드에 의해 주입되는 고상 레이져의 효율은 매우 높다. 그러나, 이와 같은 레이져는 고상 레이져 결정 구조와 반도체 레이져를 결합시키는 것이 복잡하여 제조하기가 어렵다는 단점을 가지고 있다. 또한, 이와 같은 레이져는 수작업으로 제조되기 때문에 제조 단가가 높다. 본 기술은 집적 반도체 주입 장치를 가진 고상 레이져를 제조하기 위한 구조와 방법들을 설계한 기술이다. 본 기술에서와 같은 단일 구조는 기존의 반도체 공정 기술에 의해서 제조될 수 있고, 더 작고 더 싼 고상 레이져를 생산하기 위한 잠재력을 가지고 있다. 본 기술은 응용 장치의 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 제조 단가를 낮추고 제조를 쉽게 할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 기술의 특징은 자체적으로 주입할 수 있는 단일 고상 레이져를 제조할 수 있다는 것이다. 또한, 반도체나 절연체, 폴리머 제조 공정과 같은 제조 기술을 가지고 제조 될 수 있는 집적화된, 다이오드 레이져 주입, 고상 레이져이다. 본 기술은 기질, 주입 광을 제공하기 위하여 기질 위에 성장된 반도체 광 소스 그리고 기질 위에 성장된 고상 레이져 구조로 구성되어 있다. 고상 레이져 구조는 주입 광에 대해 투명한 주입 거울, 출력 거울, 주입과 출력 거울 사이에 증착되어 있는 도프된 반도체 층, 활성 금속 이온을 가지고 도프된 반도체/절연체/고분자 층으로 이루어져 있다. 본 기술은 고상 레이져용 주입 광의 소스로서 발광 다이오드나 반도체 레이져를 사용한다. 또한, 본 기술은 주입 소스로서 밴드폭이 넓은 물질 (갈륨 산화물)을 사용한다. 그러므로, 전 가시영역의 스펙트럼 (파랑, 초록, 빨강 등)이 주입될 수 있다.제조가 간편. 제조 단가가 저렴. 장치의 크기를 줄일 수 있음