일반기술

다중 에피탁셜 영역을 가진 기질과 그와 같은 기질의 제조 기술

웨이퍼 위에 성장한 에피탁셜 구조에서 가로축의 커다란 변형은 헤테로-접합 광학-전자 장치 영역에서 고전적인 문제들이 많이 발생된다. 작은 변형을 수용하는 영역은 같은 기질 위에 다른 장치와 다른 장치 영역을 한꺼번에 제조할 수 있다. 에피탁셜 재성장과 웨이퍼 결합을 일렬로 정렬시키는 방법 등으로 이와 같은 문제를 해결하기 위한 기술들이 개발되어 왔다. 그러나, 이와 같은 방법들은 에피탁셜 영역에서 결합/재성장의 단계를 증가시킨다. 결합과 재성장 단계는 높은 온도의 열처리 과정에서 발생하는 웨이퍼의 손상과 물질의 손실을 발생시키기 때문에, 이와 같은 기술로 두개 이상의 에피탁셜 영역을 제조하는 것은 어렵게 된다. 본 기술은 기존의 문제점들을 해결하기 위하여 다중 에피탁셜 영역의 기질을 제조할 수 있는 특별한 기술을 개발하였다. 본 기술은 하나의 기질 위에 우수한 에피탁셜 특성과 높은 생산 효율을 가진 많은 수의 에피탁셜 영역을 제조할 수 있다. 본 기술은 반도체 레이져나 광학 디텍터 뿐만 아니라 헤테로-접합 광학전자 장치, WDM 배열, 광학 집적 회로 등의 제조에 이용할 수 있다.하나의 웨이퍼 기질 위에 다른 구조나 장치를 많이 제조 가능. 물질의 손실이나 기질의 손상을 막을 수 있음. 하나의 웨이퍼에 다기능의 장치 제조 가능