일반기술
잔류응력이 제거된 내열금속박막의 스퍼터링 기술
본 기술은 반도체 및 초전도체 소자제작에 널리 쓰이는 내화성 금속박막을 잔류응력 없이 스퍼터링하는 기술이다. 박막의 잔류응력은 증착되는 물질분자 또는 클러스터가 갖는 에너지 및 박막형성 시 포함되는 불순물에 영향을 받는다. 스퍼터링 전 진공도가 10E-5 Pa이하일 경우 불순물질의 영향은 무시할 수 있으며, 이때 박막의 잔류응력은 음극 전압, 타겟 침식, 플라즈마 압력 등에 영향을 받으며, 특히 타겟과 기판 사이의 거리가 중요하다. 본 기술의 특징은 타겟과 기판사이의 거리가 5cm 이내일때와 10cm 이상 되는 경우에 잔류응력을 제거시킬 수 있는 공정기술이다. 본 기술은 녹는점이 높은 내화성 금속의 스퍼터링에 유용하게 쓰일 수 있으며, 타겟 침식에 따른 잔류응력 변화에 능동적으로 대처할 수 있어 소사 제조 시 수율을 높일 수 있다.타겟 침식에 따른 잔류응력 변화에 능동적으로 대처할 수 있어 소자제조시 수율을 높일 수 있다.- 반도체 제조 장비 개발 ⇒ PVD 장비 개발, 스퍼터링공정 개발- 반도체 및 초전도소자 제조 ⇒ 금속전극, 배선, 저항 증착- 첨단 센서 제작 ⇒ 열전대 및 박막저항 증착
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-02-08
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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