일반기술

DRIE를 이용한 고종횡비의 미세 실리콘 구조물 제작 기술

본 기술은 고종횡비(high aspect ratio)의 3차원 실리콘주조물을 제작하는 기술이다. 고종횡비의 3차원 실리콘구조물 가공에는 빠른 식각속도와 큰 식각이방성을 갖는 공정이 필요하며, 특히 낮은 압력에서 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있는 ICP(Inductively coupled coupled plasma)를 이용한 반응성이온식각(RIE)이 필요하다. 본 기술은 플라즈마의 조성을 주기적으로 조절하여 보호막증착(Passivation)과 식각(etching)이 주기적으로 일어나게하여 고종횡비를 얻는 방법을 적용하였으며, 시료 패턴모양 또는 load effect에 의한 식각특성 변화 등도 고려하여 최적 공정조건을 확립하였다. 본 기술은 각종 고감도 센서 및 액추에이터의 감지부 또는 구동부에 널리 쓰이는 실리콘구조물 제작에 유용하게 쓰일 수 있다.보호막 증착 주기와 등방성 또는 비등방성 식각 주기를 조절함으로써 임의의 단면모양을 갖는 미세구조물을 제작할 수 있다.- 반도체 제조 장비 개발 ⇒ Deep Etcher 개발, 식각공정 설계 및 개발- 첨단 반도체 소자 제조 ⇒ deep trench 식각- 첨단 센서 및 액추에이터, MEMS 등 제작 ⇒ SOI 식각, 다결정실리콘 식각