일반기술

3 전극 실리콘 습식 식각기술

본 기술은 마이크로 센서소자 제작에 쓰이는 실리콘 습식 식각 기술이다. 100 ㎛ 이상 깊이의 실리콘 식각에 주로 사용하고 있는 습식 식각은 분당 1 ㎛ 이상의 실리콘 식각률을 갖는다. 식각 시간의 조절로 미소하게 설계된 다이아프램, 캔틸레버를 만들 수 있다. N형 실리콘 위에 P형 에피층이 있는 경우 실리콘에 전극을 형성하고 용액 안에 백금전극을 넣어 양단에 바이어스를 걸고 electro-potentiometer로 조절하면 일정한 식각률을 갖는 2 전극 식각 시스템이 된다. 3전극 방식은 2 전극 방식에 기준전극을 추가한 시스템이다. 이 기술의 특징은 실리콘 식각 공정에서 균일한 식각률을 가질 수 있으며 식각 끝점 부근을 알 수 있어 공정 중 과도 식각 등을 예방 할 수 있다.실리콘 식각 공정에서 균일한 식각률을 가질 수 있으며 식각 끝점 부근을 알 수 있어 공정 중 과도 식각 등을 예방 할 수 있다. - 마이크로 센서 개발 ⇒다이아프램, 캔틸레버, 캐비티 형성 - 바이오 칩 개발 ⇒ 채널형성 기술