일반기술

광센서 및 광센서 제조방법

본 기술은 가시광선에서 자외선에 이르는 주파수 범위의 광을 검출할 수 있도록 한 다공질 실리콘 다이어프램을 이용한 광센서 및 광센서 제조방법에 관한 것이다. 단결정 실리콘 기판의 하부 중심부를 이방성 에칭하여 실리콘 다이어프램을 형성한 후, 이것을 다시 전기 화학적으로 에칭하여 다공질 실리콘 다이어프램을 수직 원통형 기공구조를 갖도록 제작하고, 다공질 실리콘 다이아프램 상부 및 기판의 하부전면에 캐소즈와 에노드전극을 설치하여 가시광 및 자외선을 모두 검출할수 있도록 한다. 종래 기술에 따른 광센서는 다공질 실리콘과 벌크 실리콘 단결정 경계면, 그리고 벌크실리콘에서 발생하는 과전류 및 벌크자체의 저항이 광센서의 특성에 큰 영향을 미치게 되고, 출력이 전류이기 때문에 소비전력이 증가되는 등의 문제점이 있는데, 본 기술은 가시광에서 자외선에 이르는 모든 광을 검출할 수 있도록 한 다공질 실리콘 다이어프램을 이용한 광센서를 제공함으로 상기의 문제점을 해결할 수 있다. 마이크로머시닝 기술과 전기화학적 에칭에 의해 제작된 다공질 실리콘 다이아프램을 이용함으로써 벌크 실리콘의 영향을 완전히 제걸할 수 있다구조와 제작공정이 간단하고, 신호검출회로의 집적화가 가능한 이점이 있고, 기존의 실리콘 광 센서로는 검출하기 곤란한 주파수 영역까지의 범위를 검출할 수 있다.