일반기술
이중 RF 플라즈마 소스 장치들을 이용한 반금속 산화물계 박막 제조
산화물계 물질중 half-metallic한 특성을 갖는 대표적인 물질인 Fe3O4의 형성에서 Fe3O4 target를 사용하지 않고, 순수한 Fe target을 sputtering하는 방법으로 형성하기 어려운 점을 극복하기 위해 기존의 기판에서의 thermal 외부에너지를 가해주는 방법 대신 외부에서 thermal 에너지보다 더 강한 새로운 RF 에너지를 가해줌으로서 Fe3O4와 그 외 산화물계의 박막을 제조하여 magnetic random access memory 소자와 magnetic sensor 소자 및 차세대 스핀소자등 여러 가지 고속, 고주파 소자들에 응용외부에서 에너지를 가해줌으로서 sputtering과정에서 형성되기 어려운 결정 구조를 형성할 수 있다
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-04-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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