일반기술

실리콘 함유 고분자 화합물 및 이를 이용한 2층 레지스트 조성물

실리콘을 함유한 2층 레지스트용 공중합체의 합성과 그 레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 기존의 2층구조 레지스트에서 보여지는 단점을 보완한 새로운 구조의 2원 공중합체와 3원 공중합체를 제안하였고 이를 이용해 광산발생제를 포함하는 레지스트 조성물을 제조 하였다. 새로이 합성된 공중합체들은 높은 Silicon 함량을 가졌으며 내에칭성을 증가시키기 위해 싸이클로 펜던트 그룹을 도입하였고 막질에 대하여 좋은 접착 특성을 가지기 위해 히드록시기를 도입하였다.본 발명에서 제안한 새로운 구조의 공중합와 이를 이용한 레지스트 조성물은 ArF 엑시머 레이져의 193nm의 파장대의 빛에서 좋은 투과도를 갖고, BLR로 사용하기에 충분한 실리콘 함량을 가지며, 공정상 요구되는 2.38 중량% 농도의 TMAH(테트라메틸암모늄 하이드록사이드) 현상액에서 현상성이 뛰어나다. 또한, 내에칭성을 향상 시키기 위해 폴리머에 싸이클로 펜던트 그룹을 도입하였고 막질에 대하여 좋은 접착 특성을 가지기 위해 히드록시기를 도입하였다. 이 새로운 구조와 광산발생제의 조성물은 아주 좋은 감도를 가지며, 이 레지스트 조성물을 이용하여 0.3 ㎛ 이하의 미세 레지스트 구조물을 형성시킬 수 있었다.