일반기술
전압 극성 변화를 사용한 박막상의 양각 및 음각 나노 패턴 방법.
본 발명은 AFM 리소그래피에서 유기물 박막과 탐침 사이의 인가전압을 바꾸어줌으로서, 양각 및 음각 패턴 형성을 동시에 구현할 수 있으며, 수십 nm수준의 미세 패턴을 제조하는 기술에 대한 것이다.본 발명은 AFM 산화 전사법을 개선하여 탐침과 시료사이의 전압의 방향을 임의로 조절함으로써, 레지스트의 기능기 특성에 따라 기판에 형성되는 양/음각 패턴이 임의로 조절되는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 부방식·표면처리 기술
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-04-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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