일반기술

반도체 소자 배선 재료용 확산방지막의 DRAM/FRAM소자 캐패시터용 확산방지막 및 상기 확산 방지막의 제조 방법

Ta/M/Ta(상기 M은 W, Zr, Nb 및 V 중 어느 하나)의 확산 방지막 박막 구성을 가짐으로써, 상기 박막의 증착 후 행해지는 후속 열처리에 따른 상기 확산 방지막의 면저항의 급속한 증가가 650℃이상에서 이루어지는 반도체 소자 배선 재료용 확산 방지막 및 이온선 보조 증착법에 의한 상기 확산 방지막의 제조 방법을 제공한다.또한, 본 기술은, Ta/M/Ta(상기 M은 W, Zr, Nb 및 V 중 어느 하나)의 확산 방지막 박막 구성을 가짐으로써, 상기 박막의 증착 후 행해지는 후속 열처리에 따른 상기 확산 방지막의 면저항의 급속한 증가가 650℃ 이상에서 이루어지는 DRAM 및 FRAM 소자의 캐패시터용 확산 방지막 및 이온선 보조 증착법에 의한 상기 확산방지막의 제조 방법을 제공한다- 단일 확산 방지막 재료로 알려진 Ta를 확산 방지막 재료로 사용하여 650℃이상의 온도에서의 후속 열처리에서도 상술한 구리 실리사이드 내지 탄탈실리사이드의 형성이 없어서 면저항의 뚜렷한 변화가 없는 확산 방지막을 제공하는 것이다.- 이온선 보조 증착법으로, 이온빔 에너지 및 이온빔 에너지를 각각 100 내지 250eV 및 0.1 내지 0.15mA로 제어하면서 Ta/M/Ta(상기 M은 W, Zr, Nb 및 V중 어느 하나)구조를 가지는 확산 방지막 박막을 적층하는 것이다.