일반기술
이온 건 스퍼터링 증착 시스템용 이온 발생자
이온 건 스퍼터링 증착 시스템에서 사용되는 일 부재에 관한 것으로, 표면 이온화 방식을 채용한 Cs(Cesium) 이온 건 스퍼터링 증착 시스템의 일 구성요소인 표면 이온 발생자에 대한 것이다.- 이온 발생자를 IGSD 시스템에 적용함에 있어서, 이온 발생자 본체의 가로폭 및/또는 세로폭의 크기를 증가시키고 일자형 와이어 또는 U자형 와이어의 길이를 이에 맞게 조절하면 대면적 Cs+이온빔을 생성할 수 있음- 따른 이온 발생자에 구비된 와이어를 2선권선 이상의 다선권선으로 구성하게 되면 Cs표면 이온화 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로 Cs+이온빔의 농도를 더욱 증가시킬 수 있음- 이온 발생자의 사용 중 일부 와이어가 취성에 의해 끊어진 경우 끊어진 와이어만을 교체할 수 있기 때문에 IGSD 시스템 전체의 보수 및 유지가 매우 간단함
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-04-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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