일반기술

전계와 자외선을 이용한 비정질 막의 결정화 방법

본 기술은 비반응성 기체를 이용한 플라즈마를 사용하여 금속 입자를 비정질 실리콘에 입사 시킨다. 그 후 UV를 조사시키면서 전계를 인가하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 플리즈마에 의한 금속의 형성과 전계을 인가하면서 UV에 의한 열처리로 비정질 막을 결정화 한다. 유리기판 위에 절연막을 형성하고 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 5x1012 ~ 5x1014cm-2의 금속 입자들을 입사시킨다. 파장이 100~400nm 사이의 UV를 조사한 상태에서 1~1000V/cm 사이의 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 시키거나, UV를 조사시키고 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 한다.-전계와 UV을 이용하여 결정화 시간을 단축-대면적 기판에 적용함에 따른 기판 변형의 문제 최소화-낮은 온도에서 박막 전체를 균일하게 결정화 가능-저온에서 제작 가능-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능