일반기술
인이 도핑된 비정질 막의 금속 유도 결정화 방법
본 기술은 인(P) 이온 도핑된 비정질 막 상에 니켈 등의 아주 얇은 금속 층을 비정질 막 전체에 형성시켜 전계를 인가하면서 열처리하여 비정질 실리콘을 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 인 이온을 도핑하여 금속 유도 결정화 방법으로 비정질 막을 결정화 하는데 있다. 유리 등의 절연기판 위에 인 이온을 포함된 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 얇은 금속층을 증착하고, 전기장을 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 금속 유도 결정화 한다-다결정 실리콘의 결정성을 향상-박막내의 잔류 금속의 양을 최소화 -박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD), 태양전지, 이미지 센서 등에 필요한 다결정 실리콘 박막으로 대체 가능-저온에서 제작-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 부방식·표면처리 기술
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-04-23
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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