일반기술

액정디스플레이용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 제조 방법

본 기술은 액정 표시소자(LCD)에 사용하는 박막 트랜지스터의 제작 공정에 필요한 마스크 수를 줄이는 방법 및 고농도 불순물층과 화소 전극 사이에 니켈 실리사이드 혹은 니켈 실리사이드와 금속층(Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd. Ag 등)이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터(TFT)구조에 관한 것이다. 본 기술의 TFT는 절연 기판상에 게이트, 활성층 및 소오스/드레인 전극이 형성된 TFT에 있어서, 소오스/드레인 전극이 실리사이드 혹은 실리사이드와 금속층으로써 형성된다. TFT 제작에 있어서 기존 공정보다 1∼2 장의 마스크 수를 감소시켜서 스윗칭 소자인 TFT를 형성할 수 있다. 소오스/드레인 전극은 실리사이드층 및 투명전극 혹은 실리사이드층, 금속층 및 투명전극의 적층으로 이루어진다.- 저 마스크수 공정에 의한 TFT를 제작 가능- 생산성 향상- LCD 제작 비용을 크게 절감