일반기술

알루미늄 질화막을 완충층으로 이용한 액정디스플레이용박막 트랜지스터의 제조 방법

본 기술은 금속 박막의 위 아래에 얇은 알루미늄 질화막(AlN)을 형성하여 박막 격리 방지에 관한 것이다. 본 기술은 알루미늄 질화막을 전체적으로 증착하여 형성한다. 형성된 알루미늄 질화막은 패턴형성을 하지 않고 남겨둔 상태에서 다른 금속(게이트 금속)을 증착한다. 알루미늄 질화막은 다른 박막에 전혀 영향을 주지 않으면서 쉽게 제거가 가능하다. 이러한 방법에 의해 복잡한 공정과 금속의 특성 저하없이 유리와 금속의 접착력을 향상시키고, 금속의 확산도 막을 수 있다. 이 기술은 새로운 게이트 금속 물질인 APC(Ag-Pd-Cu)합금과 구리의 접착력 향상과 확산 방지에 알루미늄 질화막을 사용하여 박막 트랜지스터를 제조한다.-접착력, 확산및 금속의 변형이 우려되는 금속을 알루미늄 질화 버퍼층을 이용하여 유리 기판 위에 증착하여 후속 공정시의 신뢰도를 높임-대부분의 금속이 특성변화 없이 게이트 금속 사용을 가능-낮은 저항 금속들 중의 일부인 구리와 APC가 유리 기판에 접착력이 우수한 금속 특성을 보임