일반기술

증착 및 식각공정에서 라디칼의 조성 및 공간분포 측정장치

본 기술은 반도체 공정의 PECVD장비 및 건식 식각장비에서 공정 진행 중 공정용기 내의 radical의 조성과 radical의 공간분포를 QMS를 이용하여 측정하는 기술이다. CVD 또는 식각공정에서 radical은 공정특성에 직접적으로 영향을 미치는 매우 중요한 인자이며, 각 위치별로 radical의 조성을 측정함으로써 radical의 공간 분포를 측정할 수 있다. radical의 공간분포는 CVD 또는 식각의 균일도와 밀접하게 연결되어있다. radical의 조성과 공간분포를 측정함으로써 공정장비 또는 공정조건을 진단할 수 있다. 이 장치는 radical이 QMS로 들어올 때 가는 관을 통해 들어오게 되어 있으며 공간분포를 측정할 수 있도록 이 가는 관을 스캔 할 수 있도록 하였다.본 기술은 박막 증착 공정장비 및 건식 식 각공정 장비 등에 적용하여 실시간으로 radical의 조성 및 공간분포를 측정하여 공정장비 또는 공정조건을 개선하는데 도움을 줄 수 있다.- 반도체식각 및 CVD공정 - 산화막 및 Si 막 식각 시 또는 증착 시 radical 측정 가능- radical 공간분포 측정 가능 - 공정장비 상태 모니터 가능