일반기술

알루미늄 산화막을 완충층으로 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법

본 기술은 유리 기판에 얇은 알루미나(Al2O3)막을 형성하여 박막 격리를 방지하는 것에 관한 것이다. 본 기술은 유리 기판위에 알루미늄을 3~5 nm 증착한다. 증착된 알루미늄은 두가지 방법으로 산화가 가능한데 습식 방법과 건식 방법이다. 게이트 금속으로 사용될 구리와 APC 금속을 증착한다. 마스크를 이용하여 증착된 금속을 게이트 패턴화 한다. 금속의 상부 박막으로의 확산을 막으려 하는 경우 게이트 금속패턴 위에 알루미늄을 쌓고 다시 알루미나막을 형성한다. 게이트 금속의 증착후 다른 박막들을 형성한 후 연속으로 게이트 절연막, 활성층, 불순물이 첨가된 실리콘층, 소스(Source)와 드레인(Drain) 금속을 증착한다. 게이트 절연막으로는 실리콘 질화막을 사용하며, 활성층은 비정질 실리콘을 사용한다. 불순물이 첨가된 실리콘층은 n형 실리콘층이며, 불순물층은 PH3과 SiH4 혼합가스를 사용해 증착한다. 박막의 증착후 각 박막층을 제한하고 분리하며 이를 측정한다. 마스크를 이용 소스(Source)와 드레인(Drain) 금속을 패턴하고 연속으로 불순물이 첨가된 실리콘층을 식각하여 채널을 형성한다. 활성층을 고립시키기 위해 패턴을 하고, 게이트 금속 위의 박막을 제거하여 측정이 가능하게 한다. 니켈 실리사이드를 형성하기 위해 240OC에서 2시간 동안 열처리를 한다. 니켈 실리사이드는 불순물이 첨가된 실리콘층과 금속간의 접촉저항을 현저히 줄여서 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.- 접착력이 좋지 않은 금속을 알루미나 버퍼층을 이용하여 유리 기판 위에 증착하여 후속 공정시의 신뢰도를 높임- 대부분의 금속의 특성변화 없이 게이트 금속 사용을 가능- 유리 기판에 접착력이 우수한 금속 특성