일반기술

고성능 자성반도체 박막의 개발

분자선 Molecular beam epitaxy(MBE)법을 이용하여 Ⅱ-Ⅳ족 화합물을 모재로 하여 4원계 희박자성반도체 박막이 실온에서 유일하게 Faraday회전 (광편파면 회전에 관여하는 광자기 특징)을 나타내는 재료로 알려져 있는 Ⅱ-Ⅳ족 3원계 희박자성 반도체 CdMnTe와 비교해서 5~10배의 크기의 광자기 특성을 나타내는 것이 발견되었다. 희박자성 반도체는 상자성체에 있어서 Faraday 회전특성이 외부자계에 비해서 선형이기 때문에 계측디바이스용 소자로 이용될 수 있다.본 4원계 자성반도체는 페러데이(Faraday) 회전 특성이 기존의 3원계 반도체 박막의 특징을 대폭 초월하는 것으로 -1 ~ -3/㎝ Gauss라는 10배 이상의 수치가 되고 있다. 따라서 본 제품은 전력분야에서 기존의 유도형 교류기에 따라 소형사이즈 광변류기의 자계센서와 고전압 방전현상 등에 동반하는 과도적인 자기현상의 측정용 센서에 이용될 가능성을 가진다.