일반기술

반도체 메모리 장치

본 기술은 행 및 열로부터 matrices장에 배열된 복수의 메모리 셀 가운데 전기행 혹은 열에 속하는 메모리 셀에 공통에 구동 전류를 공급하도록 접속된 셀 전원 공급선과 이 선들의 셀 전원 공급선에 유입하는 전류를 검출하기 위한 복수의 전류 검출 수단에 의해 검출된 전류 검출 결과 읽어내는 수단, 그리고 이 수단의 출력에 근거하여 전기 셀 전원 공급선에 유입하는 구동 전류를 차단하는 수단에 관한 내용을 포함하는 기술이다.1본 기술의 특징은 크게 5가지이다.1.메모리 셀을 구동력의 MOSFET으로 구성함으로써 저전압에서의 고속 동작을 실현한다. 그 결과 동작시의 소비 전력의 절감이 가능하다. 그 때, 메모리 셀의 구동력에 수반하여 증대하는 오프 리크 전류는 리크 전류의 작은 MOSFET에 의해 구성되는 리크 차단 스위치에 의해 차단되기 때문에 문제가 되지 않는다. 또한, 전원공급을 멈춘 상태라도 불휘발성 메모리에 의해 데이터는 보관 유지된다.2. 액티브시의 리크 차단 스위치의 도전성을 높이는 것으로 그 게이트폭을 작게하여 메모리 셀의 면적 증가를 억제할 수 있다.3. 리크 차단 스위치에 있어서의 리크 전류를 작게 하는 것에 의해 스탠바이시의 비전력을 작게 한다.4. 액티브 상태에 있는 메모리 셀은 큰 리크 전류를 가지지만 행 단위로 스탠바이 제어를 실시하는 것에 의해 액티브 상태의 메모리 셀을 최소한으로 하여 그 오프 리크 전류를 억제한다. 또한, 반도체 메모리의 데이터 읽기는 일반적으로 행 단위이기 때문에 읽기와 동기한 스탠바이 제어가 가능해진다.5. 리크 차단 스윗치를 메모리 셀부의 외측에 배치하는 것이 가능하기 때문에 메모리 셀의 면적의 증가를 억제하는 것이 가능하다. 또한, 행단위의 스탠바이 제어와의 친화성이 높다.