일반기술

반도체 메모리 장치 및 그 제조방법

스탠바이시의 유출되는 전력을 없앰과 동시에 적정 제조 단가의 향상을 꾀하기 위한 기술이다. 따라서 본 메모리 장치는 행렬의 메트릭스 상에 배열된 복수의 메모리셀 12mn와 이들 메모리셀 가운데 전술한 메모리셀에 공통으로 구동전류를 공급하도록 접속된 셀 전원공급선 13mn, 14mn, 또한 이들 셀의 전원공급선에 유입하는 전류를 검출하기 위한 복수의 전류검출수단 1６mn, 23mn와 이들의 전류검출수단에 의해 검출된 전류검출결과를 판독하기 위한 수단인 17mn과 24mn, 셀전류 공급선에 수입되는 구동전류를 차단하는 15mn와 22mn가 준비되어 있다.본 기술의 특징은 다음과 같다.1. 통상의 반도체 메모리가 가지고 있는 디바이스 결함에 의해 생기는 리크 전류를 삭감할 수 있다. 따라서 반도체 메모리 전체에서의 소비 전력을 삭감할 수 있다.2. 디바이스 결함에 의한 리크 전류를 차단하여 스탠바이시의 리크 전류 의 스펙을 채우지 않는 반도체 메모리를 구제할 수가 있다. 따라서 반도체 메모리와 반도체 메모리를 내부에 포함한 팁의 제품 비율을 향상할 수가 있다.3. 본 발명에 의하면 이상 리크 전류가 흐르고 있는지를 검사한 후에, 이 상 메모리 셀이 행하는 업무 또는 열을 떼어내 장황한 행 또는 열과 치 환하기 위하여 기존의 테스트 플로우에 간단하게 짜넣을 수가 있다.